트랜지스터의 단점을 보완하는 기술 – 제4부

트랜지스터의 단점을 보완하는 기술 제4부에서는 실제회로를 구성하여 보겠습니다.

아래 그림41은 트랜지스터의 단점을 보완하는 기술 – 제3부의 그림31을 인용한 것으로 빨간색 박스 내부의 정전류원 MCC21과 MCC22를 실제 회로로 구성하여 정전류원 모듈을 제작해 보겠습니다. 

 

[그림41]

아래 그림42는 그림41의 빨간색 박스 내부의 정전류원 MCC21과 MCC22를 일체화하여 실제 회로로 구성한 일 실시 예입니다. 

그림42와 같이 MCC21과 MCC22를 일체화한 것을 극소정전류원(MCB; Micro constant Current Bias)라고 합니다.

제3부의 그림31의 MCC21은 그림42에서 D21, D22, Q21, R22로 구성되고, 제3부의 그림31의 MCC22는 그림42에서 D23, D24, Q22, R23으로 구성되었습니다. 

[그림 42]

제21복합다이오드(Dt21)와 제22저항(R22)과 제21트랜지스터(Q21)로 구성된 제1극소정전류원과;

제22복합다이오드(Dt22)와 제23저항(R23)과 제22트랜지스터(Q22)로 구성된 제2극소정전류원으로 구성되어 있으며;

제21저항(R21)에 의해서 제21복합다이오드(Dt21)와 제22복합다이오드(Dt22)[0051] 에 1.2V 전압이 발생합니다.

첫 번째로, 

그림 42의 제1극소정전류원(MCB1; D21, D22, Q21, R22)의 제21복합다이오드(Dt21) 양단에 발생한 1.2V 전압은 제21트랜지스터(Q21)의 베이스와 에미터 사이에서 0.6V가 할당되고 나머지 0.6V는 제22저항(R22)양단에 인가되어 있으며 제21트랜지스터(Q21)의 제어로 제21트랜지스터(Q21)의 컬랙터에는 항상 정전류가 흐르게 됩니다.

이때 제22저항(R22)을 수 메가옴(Mohm)으로 하면 제21트랜지스터(Q21)의 컬랙터에 흐르는 정전류는 소수한자리 마이크로암페어(uA)의 극소전류가 흐릅니다.

두 번째로,

그림 42의 제2극소정전류원(MCB2; D23, D24, Q22, R23)의 제22복합다이오드(Dt22) 양단에 발생한 1.2V 전압은 제22트랜지스터(Q22)의 베이스와 에미터 사이에서 0.6V가 할당되고 나머지 0.6V는 제23저항(R23)양단에 인가되어 있으며 제22트랜지스터(Q22)의 제어로 제22트랜지스터(Q22)의 컬랙터에는 항상 정전류가 흐르게 됩니다.

이때 제23저항(R23)을 수 메가옴(Mohm)으로 하면 제22트랜지스터(Q22)의 컬랙터에 흐르는 정전류는 소수한자리 마이크로암페어(uA)의 극소전류가 흐릅니다.

제1극소정전류원의 제21트랜지스터(Q21)의 컬랙터와 제2극소정전류원의 제22트랜지스터(Q22)의 컬랙터가 연결되어 극소정전류가 항상 흐르고 있음으로 제2노드(NODE2)는 어떠한 경우에라도 플로팅 되지 않습니다.

이와 같이 그림42의 극소정전류원(MCB; Micro constant Current Bias)이 완성되었습니다.

그림 42의 극소정전류원(MCB; Micro constant Current Bias)이 그림43에서 MCB3 위치에 설치되었습니다.

그림43은 정전류부하(cc31)를 부하로 하는 일단증폭기와 극소정전류원(MCB3)이 결합된 개선된 증폭회로 입니다.

[그림 43]

그림43은 극소정전류원(MCB3)의 NODE3 단자를 증폭기의 정전류부하(CC31)와 증폭용 트랜지스터(Q32)의 컬랙터가 접속된 노드(A3; OUT3)에 접속하여 사용됩니다.

이와 같이 완성된 극소정전류원(MCB; Micro constant Current Bias)은 그림43과 같이 일단증폭기와결합하여 플로팅 노이즈가 제거되어 트랜지스터의 단점이 제거된 진공관 스러운 아날로그 사운드를 재생하는 고음질 증폭기로 완성됩니다

발명의 명칭: 극소정전류 바이어스 회로 및 이것을 일체화한 반도체 소자

다음 글, 트랜지스터의 단점을 보완하는 기술 – 제5부에서 만나요….