OPM307 (SINGLE) Headphone Amplifier

      품 명 DISCRETE POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
전원전압 +-5V ~+-18V, 36V
채 널 수 1 Ch
접속규격 DIP 8 Pin
크 기 27(W) x 44(H) x 14(D) (mm)

DISCRETE LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS 

 

POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

 

OPM307 (SINGLE)

 

 

 

특징

헤드폰앰프로 사용; 16Ω ~ 600Ω 이상 *****
파워 연산 증폭기 *****

향상된 응답 속도 *****

고음질 오디오 그레이드 오피앰프

고성능 개별 부품으로 구성

JFET 사용으로 높은 입력 임피던스

여유 있는 구동력으로 낮은 임피던스 회로에서 탁월한 효과

   (헤드폰 및 이어폰 구동 탁월)

일반 OP 앰프와 DIP 8 Pin 호완

비 자극성과 깨끗하고 선명하고 풍부하고 여유로운 신호 출력

 

 

응용제품

Hi-End Audios

Professional Audios

LINE OUT of the pre-amplifiers

Drive amplifiers

Power amplifiers

Headphone amplifier stage

 

 

적용된 기술
Small Signal Buffer Amplification Circuit
Absolute Current Limit, Overcurrent Limiting Circuit
Electronic Circuits for Preventing Floating
 

 

절대 최대 등급

Supply Voltage(Vs)                                       ±18V or +36V

Input Voltage                                                 ±Vs

Differential Input Voltage                                ±0.7V

Output Current

--Internal Current Limit (1)                            ±600mA

Storage Temperature Range                        -40°C to +120°C

Operating Temperature Range                     -20°C to +70°C

 

 

규격

Open Loop Gain                                            60dB @ 1KHz, Rload = 32 Ω

--Be sure to use the gain of the amplifier is less than x10 (+20dB)

Frequency Range                                         5Hz (+0.3dB) ~ 150KHz (-0.4dB) 

--@ Vs = ±10V, Output = 1Vrms, 1KHz, Rload = 32 Ω, Gain = +20dB, Input coupling capacitor = 1uF(Film)

Damping factor                                             37 

--@ Vs = ±10V, Output = 2Vrms, 1KHz, Rload = 16Ω, Gain = +20dB, 10W transformer, a bridge rectifier, 1A regulator, 2200uF

Output Voltage Swing (Rload = 32 Ω, THD = 0.5%), Vrms (Vdc)

--Vs = ±5V                                                    2.2 (±3.1V)

--Vs = ±10V                                                  5.4 (±7.6V) 

--Vs = ±15V                                                  8.1 (±11.4V) 

Quiescent Current (2)

--Vs = ±5V                                                    40mA

--Vs = ±10V                                                  41mA

--Vs = ±15V                                                  42mA

Dimensions                                                  27(W) x 44(H) x 17(D) mm

 

 

Notes:

(1) +Vs 와 GND 사이 또는 -Vs 와 GND 사이.

(2) 본 제품은 전원회로가 Quiescent Current(Power Current)를 충분히 흘릴 수 있는 기기에 사용해야 하며, Quiescent Current(Power Current)를 충분히 흘릴 수 있도록 설계되어야 합니다.

 

본 제품은 아래 조건에서 사용하세요:

Op Amp 회로의 최종 이득(증폭도)은 10배(+20dB) 이하에서 사용하세요. 

   (Active filter, Buffer, Headphone amplifier stage, 등)

전원공급기는 전압의 안정을 위해서 정전압회로로 구성되어야 하며, 디커플링 콘덴서를 설치하여 전원의 임피던스를 작게 하여야 합니다.

DIP8 연장선을 사용하는 경우 선 길이를 가능한한 짧게 사용하세요.

Rload >= 50 ohm  @ 전원전압(Vs) = ±18V or +36V.

Rload >= 16 ohm  @ 전원전압(Vs) = ±10V or +20V.

트랜지스터의 차갑고 외소한 사운드 특성을 개선하는 오디오필 기술 설명

실리콘 트랜지스터의 차갑고 가늘고 건조한 사운드 특성을 개선하는 AUDIOFEEL의 기술

일반적으로 트랜지스터로 제작된 앰프는, 소리에 힘이 있지만, 차갑고 가늘고 건조한 특성이라고 평가되고 있습니다. 이러한 성향을 개선하기 위해서 약간의 커패시터를 추가하여 사운드 성향을 조정하는 튜닝을 합니다. 이 튜닝 과정의 결과로 고음부의 일부가 커트되어 개방감이 줄어 듭니다.

그래서 트랜지스터 앰프에서는 실제 연주되는 사운드를 듣기가 매우 어렵습니다. 

AUDIOFEEL에서는 이러한 트랜지스터의 단점을 해소하는 기술을 보유하고 있으며, 현재 생산하는 모든 제품에 적용되어 있습니다.  진공관 앰프와 같이 포근하고 온화하고 맑고 투명하고 모든 소리 하나 하나 독립적으로 구분되며 감성이 충만하고 힘까지 있습니다.

실리콘 트랜지스터의 단점을 보완하는 기술은 어떠한 방법으로 구현되었을까요?

원리는 간단합니다. 현재의 실리콘 트랜지스터를 게르마늄 트랜지스터와 유사하게 동작 하도록 회로를 구성해 주는 것이 핵심입니다.  

"게르마늄 트랜지스터는 컬렉터와 베이스 사이에 누설 전류가 흐른다" 이 조건을 실리콘 트랜지스터 회로에 적용 해 주었습니다. 

아래 그림 21에서 트랜지스터(A21)는 실리콘 트랜지스터 1개를 나타내는 블록 입니다. 부하(CCL21)는 저항 부하 또는 정전류 부하를 나타내는 블록 입니다. 이것은 트랜지스터 1단 증폭기를 간단히 표시 한 것입니다. 

실리콘 트랜지스터는 컬렉터(C)와 에미터(E) 사이에 누설전류가 전혀 흐르지 않습니다.

즉 A21과 CCL21 만으로 구성된 실리콘 트랜지스터 증폭기는  소리가 차갑고 가늘고 건조한  특성입니다. 

                                                                [그림21]

그림 21의 A21과 CCL21로 구성된 실리콘 트랜지스터 증폭기를 게르마늄 트랜지스터 증폭기처럼 사용하기 위해서 A21과 병렬로 누설전류용 정전류원 NCC22를 접속해 줍니다. 

그러면, 실리콘 트랜지스터의 컬랙터와 에미터 사이에 NCC22에 의해서 누설전류가 흐르고, 실리콘 트랜지스터 A21은 항상 누설전류가 흐르는 것 처럼 동작합니다. 결과적으로 이 증폭기는 게르마늄 트랜지스터를 사용한 것과 같이 동작합니다.

NCC22에 항상 전류를 흘려주기 위해서 NCC21이 필요합니다.

누설전류를 흘리기 위한 NCC21과 NCC22 (빨간 박스 표시) 회로를, 실리콘 트랜지스터의 컬렉터와 에미터에 병렬로 접속해 줍니다. 이 결과로 실리콘 트랜지스터를 사용했는데도 불구하고 진공관 사운드와 같이 포근하고 온화하고 맑고 투명하고, 모든 소리 하나 하나 독립적으로 구분되며 감성이 충만하고 힘까지 있습니다. 또한 전자파나 외부 노이즈에 영향을 적게 받는 장점도 있습니다.

(상세한 설명) 

실리콘 트랜지스터의 차갑고 가늘고 건한 특성을 개선하는 AUDIOFEEL 기술을 설명하겠습니다.

오래전에, 진공관 라디오가 생산되고,  그 뒤 게르마늄 트랜지스터 라디오가 생산되고, 그 뒤  실리콘 트랜지스터 라디오가 생산되었습니다.

 게르마늄 트랜지스터 라디오는 사운드가 좋았습니다. 

그러나 실리콘 트랜지스터 라디오는 사운드에 힘이 있지만, 차갑고 가늘고 건조한 사운드 입니다. 

실리콘 트랜지스터의 문제점은 현재까지 개선되지 않은 채 온 것입니다. 

그러면 게르마늄 트랜지스터와 실리콘 트랜지스터의 차이점이 무엇 이길래 사운드에 차이가 생기는 것 일까요?

그 답은 전극간 절연특성 또는 절연도의 차이에 있습니다. 

트랜지스터 규격표에서 Icbo로 표시합니다.

게르마늄 트랜지스터의 컬렉터와 베이스 간 누설전류 Icbo는 8uA ~ 30uA 입니다. (AC124, AC125 등)

반면에, 실리콘 트랜지스터의 컬렉터와 베이스간 누설전류 Icbo는 최대 0.1uA 입니다. 대략 100 배 이상 차이가 납니다.

정확하게는 컬렉터와 에미터간 누설전류 Iceo를 비교 해봐야 정확하지만, 트랜지스터 데이터시트에는 Iceo 를 잘 표시하지 않으므로 Icbo로 비교 했습니다.

컬렉터와 에미터간 누설전류는, 게르마늄 트랜지스터 보다 실리콘 트랜지스터가 매우 작으며 절연도가 좋다는 것을 알 수 있습니다.

진공관 내부에는  전자가 항상 존재하기 때문에 컷오프 시에도 플레이트에서 케소드로 미세하게 전류가 흐르고 있으며, 플레이트 전류가 차단되지 않는 것도 게르마늄 트랜지스터와 같습니다. 

또한 FET도 컷오프 시에 드레인에서 소스로 미세하게 전류가 흐르고 있으며, 드레인 전류가 차단되지 않는 것도 게르마늄 트랜지스터와 같습니다. 

그렇지만, 실리콘 트랜지스터는 높은 절연 특성 때문에 컷오프 시에 컬렉터 전류가 차단되는 순간이 생깁니다. 그래서 음향 증폭기로 사용하는데 있어서 음질 측면에서는 부족한 면이 있습니다.

그러면 실리콘 트랜지스터의 절연특성이 왜 문제가 될까요?

트랜지스터로 구성된 증폭회로에서 베이스로 들어오는 입력신호의 변화가 콜렉터로 출력되기까지 얼마간 시간이 필요합니다. 

만일, 베이스에 인가된 입력신호 전압이 낮아졌을 때 컬렉터 전류가 감소하고, 컬렉터의 임피던스가 높아지고, 부하저항과 컬렉터 전극이 분리되는 순간이 생기며 부하저항의 전위는 플로팅 상태로 됩니다. 

이때, 게르마늄 트랜지스터는 항상 누설전류가 흐르기 때문에 부하저항과 접속 상태를 유지하지만, 실리콘 트랜지스터는 절연이 너무 좋기 때문에 컬렉터 전류는 완전히 차단되어 부하저항과 분리된 상태로 되고, 컬렉터 단자는 임의 전압으로 변경되거나 주위의 노이즈 또는 전자파에 쉽게 노출 됩니다. 즉 증폭신호가 쉽게 변형이 생기게 됩니다.

실리콘 트랜지스터는 컬렉터와 에미터간 절연도가 너무 좋기 때문에 증폭하는 과정에서 컬렉터와 부하저항 사이가 차단되는 순간이 있으며 부하저항의 전위가 플로팅되는 순간이 있습니다. 이 플로팅되는 순간에는 증폭신호와 전혀 다른 전압으로 변경되고, 주위의 노이즈에 쉽게 영향을 받아서 증폭신호와 전혀 다른 전압으로 변경됩니다.

즉, 증폭된 출력신호가 변형됩니다. 

만일, 펄스 전압으로 변형되는 경우에는 자극적인 사운드로 됩니다. 또한 완만한 저역 신호 레벨을 추종하지 못하여 포근하고 깊은 저역의 사운드를 재현하지 못합니다.

현 시대에는 트랜지스터는 모두 실리콘 트랜지스터이며, 게르마늄 트랜지스터는 거의 생산하지도 않고 사용하지도 않습니다. 중 저급 오디오 또는 고급 오디오 모두 진공관이 아니면 실리콘 트랜지스터로 제작합니다.